PHB21N06LT,118

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PHB21N06LT,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 56 W

漏源极电压Vds 55 V

上升时间 88 ns

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 56 W

下降时间 25 ns

耗散功率Max 56W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB21N06LT,118
型号: PHB21N06LT,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 55V 19A SOT404

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