PMPB33XN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMPB33XN,115概述

DFN-MD N-CH 30V 4.3A

N-Channel 30 V 4.3A Ta 1.5W Ta, 8.3W Tc Surface Mount DFN2020MD-6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 6-Pin DFN-MD EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 6-Pin DFN-MD EP T/R

PMPB33XN,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.5W Ta, 8.3W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.3A

输入电容Ciss 505pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

耗散功率Max 1.5W Ta, 8.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMPB33XN,115

型号： PMPB33XN,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN-MD N-CH 30V 4.3A