PSMN1R6-30BL,118

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PSMN1R6-30BL,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 306W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 12493pF @15VVds

额定功率Max 306 W

耗散功率Max 306W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN1R6-30BL,118
型号: PSMN1R6-30BL,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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