PMXB75UPEZ

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PMXB75UPEZ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 317mW Ta, 8.33W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 608pF @10VVds

下降时间 15 ns

耗散功率Max 317mW Ta, 8.33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN1010D-3

外形尺寸

封装 DFN1010D-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: PMXB75UPEZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3Pin DFN T/R

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