PMZB350UPE,315

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PMZB350UPE,315概述

Single P-Channel 20V 450mOhm 1.9NC 360mW SMT Trench Mosfet - DFN-3

* Low threshold voltage * Very fast switching * Trench MOSFET technology * 1.8 kV ESD protected


得捷:
NOW NEXPERIA PMZB350UPE - SMALL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R


富昌:
P-Channel 20 V 450 mΩ 360 mW 1.9 nC Surface Mount Trench Mosfet - DFN-3


PMZB350UPE,315中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360mW Ta, 3.125W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 127pF @10VVds

下降时间 9 ns

耗散功率Max 360mW Ta, 3.125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN1006B-3

外形尺寸

封装 DFN1006B-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PMZB350UPE,315
型号: PMZB350UPE,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:Single P-Channel 20V 450mOhm 1.9NC 360mW SMT Trench Mosfet - DFN-3

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