PMZ1000UN,315概述
DFN N-CH 30V 0.48A
Bipolar BJT Transistor
得捷:
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
富昌:
N-Channel 30 V 1 Ω 0.89 nC SMT TrenchMOS standard level FET - SOT-883
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
PMZ1000UN,315中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 0.35 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.48A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 43pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 4.5 ns
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1006-3
外形尺寸
封装 DFN1006-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买PMZ1000UN,315