PSMN1R0-40YLDX

PSMN1R0-40YLDX图片1
PSMN1R0-40YLDX图片2
PSMN1R0-40YLDX图片3
PSMN1R0-40YLDX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 198000 mW

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 62 ns

输入电容Ciss 8845pF @20VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 LFPAK-4

外形尺寸

封装 LFPAK-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN1R0-40YLDX
型号: PSMN1R0-40YLDX
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司