PSMN7R8-120PSQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN7R8-120PSQ概述

TO-220AB N-CH 120V 70A

N-Channel 120V 70A Tc 349W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

PSMN7R8-120PSQ中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 349W Tc

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 55.3 ns

输入电容Ciss 9473pF @60VVds

额定功率Max 349 W

下降时间 60.8 ns

耗散功率Max 349W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Exempt

含铅标准无铅

数据手册

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型号： PSMN7R8-120PSQ

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-220AB N-CH 120V 70A