PSMN008-75B,118

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PSMN008-75B,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 5260pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN008-75B,118
型号: PSMN008-75B,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:D2PAK N-CH 75V 75A
替代型号PSMN008-75B,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN008-75B,118

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