PSMN1R5-30YLC,115概述
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-30YLC,115, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 LFPAK封装
N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia
得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
富昌:
N-Channel 30 V 1.55 mΩ 65 nC SMT Logic Level Mosfet - LFPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
PSMN1R5-30YLC,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 179W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 4044pF @15VVds
额定功率Max 179 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 179W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.05 mm
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PSMN1R5-30YLC,115
型号： PSMN1R5-30YLC,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-30YLC,115, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 LFPAK封装