PSMN8R5-100ESQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN8R5-100ESQ概述

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

N-Channel 100 V 100A Tj 263W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

PSMN8R5-100ESQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 263W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 5512pF @50VVds

额定功率Max 263 W

耗散功率Max 263W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN8R5-100ESQ

型号： PSMN8R5-100ESQ

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin3+Tab I2PAK Rail