PSMN5R0-100PS,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN5R0-100PS,127概述

TO-220AB N-CH 100V 120A

N-Channel 100 V 120A Tc 338W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
NOW NEXPERIA PSMN5R0-100PS - 120

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

PSMN5R0-100PS,127中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 338 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 9900pF @50VVds

额定功率Max 338 W

耗散功率Max 338W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN5R0-100PS,127

型号： PSMN5R0-100PS,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-220AB N-CH 100V 120A

替代型号PSMN5R0-100PS,127

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PSMN5R0-100PS,127 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
STP165N10F4 意法半导体	功能相似	PSMN5R0-100PS,127和STP165N10F4的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PSMN5R0-100PS,127

NXP 恩智浦

当前型号

STP165N10F4

意法半导体

功能相似