PHB45NQ10T,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PHB45NQ10T,118图片1

PHB45NQ10T,118图片2

PHB45NQ10T,118图片3

PHB45NQ10T,118图片4

PHB45NQ10T,118图片5

PHB45NQ10T,118图片6

PHB45NQ10T,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB45NQ10T,118

型号： PHB45NQ10T,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-CH 100V 47A SOT404

替代型号PHB45NQ10T,118

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PHB45NQ10T,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHB47NQ10T,118

恩智浦

类似代替

PHB45NQ10T,118和PHB47NQ10T,118的区别

STB40NF10LT4

意法半导体

功能相似

PHB45NQ10T,118和STB40NF10LT4的区别