PSMN070-200B,118

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PSMN070-200B,118概述

MOSFET N-CH 200V 35A SOT404

N-Channel 200 V 35A Tc 250W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
NEXPERIA PSMN070 - 35A, 200V, 0.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
PSMN 系列 N沟道 200 V 35 A TrenchMos Fet - D2PAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK


PSMN070-200B,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 4570pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 90 ns

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN070-200B,118
型号: PSMN070-200B,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 200V 35A SOT404
替代型号PSMN070-200B,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN070-200B,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

FQB34N20LTM

飞兆/仙童

功能相似

PSMN070-200B,118和FQB34N20LTM的区别

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