DFN-B N-CH 20V 1A
N-Channel 20 V 1A Ta 360mW Ta, 2.7W Tc Surface Mount DFN1006B-3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R
富昌:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R
极性 N-CH
耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 83pF @10VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 XFDFN-3
封装 XFDFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free