PHD38N02LT,118

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PHD38N02LT,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 57.6 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 44.7A

输入电容Ciss 800pF @20VVds

额定功率Max 57.6 W

耗散功率Max 57.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD38N02LT,118
型号: PHD38N02LT,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:DPAK N-CH 20V 44.7A
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