PSMN6R4-30MLDX

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PSMN6R4-30MLDX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 51W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 832pF @15VVds

额定功率Max 51 W

耗散功率Max 51W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-1210

外形尺寸

封装 SOT-1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PSMN6R4-30MLDX
型号: PSMN6R4-30MLDX
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 66A 8Pin LFPAK33

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