PHB66NQ03LT,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHB66NQ03LT,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 93 W

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 93 W

耗散功率Max 93W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB66NQ03LT,118

型号： PHB66NQ03LT,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-CH 25V 66A SOT404

替代型号PHB66NQ03LT,118

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PHB66NQ03LT,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

STB80NF03L-04T4

意法半导体

功能相似

PHB66NQ03LT,118和STB80NF03L-04T4的区别

STB95N3LLH6

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