极性 N-Channel
耗散功率 211 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 25.2 ns
输入电容Ciss 4454pF @50VVds
额定功率Max 211 W
下降时间 22.8 ns
耗散功率Max 211W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
PSMN9R5-100PS,127
NXP 恩智浦
当前型号
STP80NF10
意法半导体
功能相似
STP120NF10
STP30NF10