PHB18NQ10T,118

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PHB18NQ10T,118概述

MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404

N-Channel 100V 18A Tc 79W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


PHB18NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 79 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 633pF @25VVds

额定功率Max 79 W

下降时间 12 ns

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB18NQ10T,118
型号: PHB18NQ10T,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404
替代型号PHB18NQ10T,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHB18NQ10T,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHB18NQ10T/T3

恩智浦

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PHB18NQ10T,118和PHB18NQ10T/T3的区别

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