PMK30EP,518

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PMK30EP,518中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 6.9 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2240pF @25VVds

额定功率Max 6.9 W

下降时间 21 ns

耗散功率Max 6.9W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMK30EP,518
型号: PMK30EP,518
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC

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