PSMN7R6-100BSEJ

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PSMN7R6-100BSEJ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 296 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 7110pF @50VVds

额定功率Max 296 W

下降时间 47 ns

耗散功率Max 296W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN7R6-100BSEJ
型号: PSMN7R6-100BSEJ
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin D2PAK T/R

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