PMFPB8032XP,115

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PMFPB8032XP,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1190 mW

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 550pF @10VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 485mW Ta, 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN2020-6

外形尺寸

高度 0.61 mm

封装 DFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMFPB8032XP,115
型号: PMFPB8032XP,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Single P-Channel 20V 156mOhm 8.6NC 1100mW Silicon SMT Mosfet - DFN-2020
替代型号PMFPB8032XP,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMFPB8032XP,115

NXP 恩智浦

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PMFPB6532UP,115

恩智浦

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