PMN70XPE,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMN70XPE,115概述

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6Pin TSOP T/R

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PMN70XPE - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

PMN70XPE,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500mW Ta, 6.25W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 602pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 17 ns

耗散功率Max 500mW Ta, 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMN70XPE,115

型号： PMN70XPE,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6Pin TSOP T/R