PHD101NQ03LT,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHD101NQ03LT,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 166 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 2180pF @25VVds

额定功率Max 166 W

下降时间 33 ns

耗散功率Max 166W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD101NQ03LT,118

型号： PHD101NQ03LT,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：DPAK N-CH 30V 75A

替代型号PHD101NQ03LT,118

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