PMV37EN2R

PMV37EN2R图片1
PMV37EN2R图片2
PMV37EN2R图片3
PMV37EN2R图片4
PMV37EN2R图片5
PMV37EN2R图片6
PMV37EN2R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 510mW Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 209pF @15VVds

额定功率Max 510 mW

耗散功率Max 510mW Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PMV37EN2R
型号: PMV37EN2R
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A 3Pin TO-236AB T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台