PMCM650VNEZ

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PMCM650VNEZ中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 556mW Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 6.4A

输入电容Ciss 1060pF @6VVds

耗散功率Max 556mW Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WLCSP-6

外形尺寸

封装 WLCSP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: PMCM650VNEZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道 12V 6.4A

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