PHD20N06T,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHD20N06T,118概述

DPAK N-CH 55V 18A

N-Channel 55V 18A Tc 51W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
* Low conduction losses due to low on-state resistance * Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

PHD20N06T,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 51 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 422pF @25VVds

额定功率Max 51 W

耗散功率Max 51W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD20N06T,118

型号： PHD20N06T,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：DPAK N-CH 55V 18A

替代型号PHD20N06T,118