PSMN006-20K,518参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PSMN006-20K,518中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 8.3 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 32A

输入电容Ciss 4350pF @20VVds

额定功率Max 8.3 W

耗散功率Max 8.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN006-20K,518

型号： PSMN006-20K,518

制造商： NXP 恩智浦

描述：PSMN006-20K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX超低电平FET

替代型号PSMN006-20K,518

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