PHN203,518

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PHN203,518概述

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

Bipolar BJT Transistor


得捷:
NEXPERIA PHN203 - SMALL SIGNAL F


艾睿:
This PHN203,518 power MOSFET from NXP Semiconductors can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin SO T/R


PHN203,518中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 560pF @20VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHN203,518
型号: PHN203,518
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
替代型号PHN203,518
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