PMZB200UNEYL概述
DFN-B N-CH 30V 1.4A
* Very fast switching * Low threshold voltage * Trench MOSFET technology * ElectroStatic Discharge ESD protection: 2 kV HBM * Ultra thin package profile of 0.37 mm
得捷:
MOSFET N-CH 30V SOT883
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
PMZB200UNEYL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 350mW Ta, 6.25W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.4A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 89pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 3 ns
耗散功率Max 350mW Ta, 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006B-3
外形尺寸
封装 DFN1006B-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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