PMZ370UNEYL

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PMZ370UNEYL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 78pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PMZ370UNEYL
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET Transistor, N Channel, 900mA, 30V, 0.37Ω, 4.5V, 770mV

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