PSMN4R3-80ES,127

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PSMN4R3-80ES,127中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 306 W

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 8161pF @40VVds

额定功率Max 306 W

下降时间 33 ns

耗散功率Max 306W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN4R3-80ES,127
型号: PSMN4R3-80ES,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

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