PSMN4R0-30YL,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PSMN4R0-30YL,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 2090pF @12VVds

额定功率Max 69 W

耗散功率Max 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN4R0-30YL,115

型号： PSMN4R0-30YL,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R

替代型号PSMN4R0-30YL,115

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