PMCPB5530X,115

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PMCPB5530X,115中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

耗散功率 1170 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 660pF @10VVds

额定功率Max 490 mW

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1170 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMCPB5530X,115
型号: PMCPB5530X,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:N/P 沟道 ±20 V 26/55 mΩ 14.4/8.1 nC Trench Mosfet - DFN2020-6

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