PMGD370XN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PMGD370XN,115中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 Dual N-Channel

耗散功率 0.41 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 740 mA

输入电容Ciss 37pF @25VVds

额定功率Max 410 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMGD370XN,115

型号： PMGD370XN,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PMGD370XN - 双N沟道TrechMOS极低电平FET

替代型号PMGD370XN,115

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

FDG8850NZ

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