PHB29N08T,118

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PHB29N08T,118概述

Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 75V 27A Tc 88W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK


PHB29N08T,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 88 W

漏源极电压Vds 75 V

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 810pF @25VVds

额定功率Max 88 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB29N08T,118
型号: PHB29N08T,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号PHB29N08T,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHB29N08T,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

FDB031N08

飞兆/仙童

功能相似

PHB29N08T,118和FDB031N08的区别

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