PMPB48EP,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMPB48EP,115概述

DFN-MD P-CH 30V 4.7A

P-Channel 30V 4.7A Ta 1.7W Ta, 12.5W Tc Surface Mount DFN2020MD-6

得捷:
MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R

PMPB48EP,115中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.7A

输入电容Ciss 860pF @15VVds

额定功率Max 1.7 W

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMPB48EP,115

型号： PMPB48EP,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN-MD P-CH 30V 4.7A