PHKD3NQ10T,518中文资料参数规格 技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 633pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PHKD3NQ10T,518 型号： PHKD3NQ10T,518
制造商：
NXP
恩智浦
描述：SO N-CH 100V 3A
