MOSFET P-CH 30V SOT883
P-Channel 30 V 410mA Ta 310mW Ta, 1.67W Tc Surface Mount DFN1006B-3
得捷:
NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
耗散功率 310mW Ta, 1.67W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 43.2pF @15VVds
额定功率Max 310 mW
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310mW Ta, 1.67W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1006B-3
封装 DFN1006B-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free