PHB33NQ20T,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHB33NQ20T,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 230W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1870pF @25VVds

额定功率Max 230 W

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB33NQ20T,118

型号： PHB33NQ20T,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-CH 200V 32.7A SOT404

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