PSMN1R2-30YLC,115

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PSMN1R2-30YLC,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 215W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 5093pF @15VVds

额定功率Max 215 W

下降时间 39 ns

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN1R2-30YLC,115
型号: PSMN1R2-30YLC,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R

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