PMDXB600UNEZ中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
耗散功率 380 mW
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 9.2 ns
输入电容Ciss 21.3pF @10VVds
额定功率Max 265 mW
下降时间 51 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFDFN-6
外形尺寸
高度 0.36 mm
封装 XFDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PMDXB600UNEZ
型号： PMDXB600UNEZ
制造商：
NXP
恩智浦
描述：PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6