PMDT670UPE,115

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PMDT670UPE,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 P-CH

阈值电压 0.8 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.55A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 87pF @10VVds

额定功率Max 330 mW

下降时间 72 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-666-6

外形尺寸

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMDT670UPE,115
型号: PMDT670UPE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666P-CH 20V 0.55A

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