PMBFJ112,215

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PMBFJ112,215概述

PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N沟道 结型场效应管 - SOT-23-3

JFET N 通道 40 V 300 mW 表面贴装型 SOT-23(TO-236AB)


得捷:
JFET N-CH 40V SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS


e络盟:
晶体管, JFET, JFET, 40 V, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET


艾睿:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N 沟道 结型 FET - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23


PMBFJ112,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -40.0 V

漏源极电阻 50 Ω

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

栅源击穿电压 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 6pF @10VVgs

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMBFJ112,215
型号: PMBFJ112,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N沟道 结型场效应管 - SOT-23-3
替代型号PMBFJ112,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMBFJ112,215

NXP 恩智浦

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