PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N沟道 结型场效应管 - SOT-23-3
JFET N 通道 40 V 300 mW 表面贴装型 SOT-23(TO-236AB)
得捷:
JFET N-CH 40V SOT23
欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
贸泽:
RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS
e络盟:
晶体管, JFET, JFET, 40 V, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET
艾睿:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N 沟道 结型 FET - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
击穿电压 -40.0 V
漏源极电阻 50 Ω
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 6pF @10VVgs
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMBFJ112,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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