PMXB65UPEZ

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PMXB65UPEZ中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 317mW Ta, 8.33W Tc

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 3.2A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 634pF @6VVds

下降时间 17 ns

耗散功率Max 317mW Ta, 8.33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: PMXB65UPEZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D P-CH 12V 3.2A

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