PSMN8R0-40BS,118

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PSMN8R0-40BS,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 86W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 1262pF @12VVds

额定功率Max 86 W

耗散功率Max 86W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN8R0-40BS,118
型号: PSMN8R0-40BS,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 40V 7.6MOHM MOSFET

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