PSMN070-200P,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN070-200P,127概述

Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail

N-Channel 200 V 35A Tc 250W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

PSMN070-200P,127中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 4570pF @25VVds

额定功率Max 250 W

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN070-200P,127

型号： PSMN070-200P,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail

替代型号PSMN070-200P,127

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PSMN070-200P,127 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PSMN070-200P 恩智浦	功能相似	PSMN070-200P,127和PSMN070-200P的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PSMN070-200P,127

NXP 恩智浦

当前型号

PSMN070-200P

恩智浦

功能相似