PDTB113ZQAZ

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PDTB113ZQAZ中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 325 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 DFN-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB113ZQAZ
型号: PDTB113ZQAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:PDTB113Z_123Y_143XQA_SER - 50V, 500mA PNP resistor-equipped transistors

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