PDTD113EQAZ参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PDTD113EQAZ概述

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
NEXPERIA PDTD113 - 50V, 500 MA U

安富利:
PDTD113EQA/DFN1010D-3/REEL 7

PDTD113EQAZ中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 325 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 DFN-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTD113EQAZ

型号： PDTD113EQAZ

制造商： NXP 恩智浦

描述：TRANS PREBIAS NPN 3DFN